Gessey会议纪要 2021年SNEC系列（六）：Snec系列 2021上海SNEC光伏展组件新品

本次SNEC新品方向各企业展示以异质结HJT和TOPCon组件为主，偏向大功率为主，版型方向几乎全部为半片，大功率组件使用的大多为210mm大硅片。组件平均效率为22%左右。

隆基首次发布TOPCon双面组件Hi-Mo N，晶科Tiger Pro 415W组件基于效率达25.25%的TOPCon电池等一系列组件备受关注。

展会现场实物图拍摄：

N型

晶科：高效N型叠焊透明背板组件

该组基于182mm硅片，应用叠焊技术，以及多主栅技术，提高光线利用率，采用透明背板，背面增益增加5% - 30%。组件效率提升至22.86%，最大功率可达625W。

图1，晶科高效N型叠焊透明背板组件

东方日升：N型双玻多主栅半片组件系列700W

该组基于210mm大硅片，采用多主栅二切片技术，大电流接线盒设计提高组件可靠性，组件效率提升至20.6%，最大功率可达700W。

图2：东方日升N型双玻多主栅半片组件系列700W

中来：N型双面双玻组件系列700W

该组基于210mm大硅片，组件效率达22.53%，最大功率可达700W。

图3：中来N型双面双玻组件系列700W

TOPCon

隆基：TOPCon无隐裂智能焊接双面组件

在SNEC发布的新品Hi-Mo N基于182mm硅片，采用无隐裂只能焊接技术，提高组件可靠性，组件效率提升至22.3%，最大功率可达570W。

图4：隆基TOPCon无隐裂智能焊接双面组件

晶科：TOPCon多主栅半片叠焊组件

该组基于182mm硅片，采用多主栅技术，提高光线利用率，采用N型TOPCon电池，电池效率可达25.25%，组件效率提升至21.25%，最大功率可达415W。

图5：晶科TOPCon多主栅半片叠焊415W

尚德：TOPCon半片组件

该组采用N型TOPCon电池，电池效率可达24%，最大功率可达620W。

图6：尚德TOPCon半片组件

尚德：TOPCon BIPV组件

该组为BIPV组件，高强度设计，采用无缝拼接，可完美替代屋顶，采用N型TOPCon电池，电池效率可达24%，最大功率可达430W。

图7：尚德TOPCon BIPV 组件

天合：TOPCon 升级多分片组件

该组基于210mm大硅片，采用升级多分片技术，拥有更低的串联损耗和卓越的抗热斑性能，采用N型TOPCon电池，电池量产效率达24.58%，组件效率提升至22.3%，最大功率可达700W。

图8：天合TOPCon 升级多分片组件

协鑫：TOPCon 双面双玻组件

该组基于166mm硅片，采用N型TOPCon电池，组件效率达21.3%，最大功率可达475W。

图9：协鑫TOPCon 双面双玻组件

正泰：TOPCon多主栅半片系列组件 670W

该组基于210mm大硅片，采用N型TOPCon电池，组件效率达21.6%，最大功率可达670W。

图10：正泰TOPCon多主栅半片系列组件670W

HJT

晶澳：HJT 72片多主栅半片组件

该组基于182mm硅片，双面率85%以上，采用HJT电池技术，组件效率可达22.4%，最大功率可达580W。

图11：晶澳HJT 72片多主栅半片组件

阿特斯：HJT半片组件

该组基于182mm硅片，采用HJT电池技术，组件效率可达22.0%，最大功率可达430W。

图12：阿特斯HJT半片组件

海泰新能：双玻双面半片异质结太阳能组件

该组件基于166mm硅片，双面率 >92%，采用HJT电池技术，组件效率可达22.54%，最大功率可达490W。

图13：双玻双面半片异质结太阳能组件

爱康：HJT双面双玻半片组件

该组件基于166mm硅片，双面率达到85%以上，采用HJT电池技术，组件效率可达21.26%，最大功率可达475W。

图14：爱康HJT双面双玻半片组件

爱康：HJT叠瓦组件

该组件基于166mm硅片，HJT叠瓦双面组件同时具备双玻和HJT的双重优势，组件效率可达22%，最大功率可达435W。

图15：爱康HJT叠瓦组件

爱康：HJT 9BB半片组件

该组件基于166mm硅片，9主栅大组件，最大功率可达700W，采用HJT电池技术，组件效率可达22.53%。

图16：爱康HJT 9BB半片组件

晋能：超高效异质结单晶太阳能组件系列 510W

该组件基于166mm硅片，采用多主栅异质结电池技术，电池效率达到24.73%，组件功率达到510W，双面率大于85%。

图17：晋能超高效异质结单晶太阳能组件系列 510W

日托：MWT+HJT高效光伏组件

该组件采用MWT+HJT电池技术，以及多主栅、半片技术，组件功率可达700W，组件效率达22.5%

图18：日托MWT+HJT高效光伏组件

天合：HJT小间距半片组件

该组基于210mm大硅片，叠加小间距技术，组件效率高达22.55%，最大功率可达710W。

图19：天合HJT小间距半片组件

均石：HDT二代（HBC）双玻组件

该组采用N型单晶硅片，异质结工艺，组件效率可达23.3%，最大功率可达505W。

图20：均石HDT二代（HBC）双玻组件

华晟：12栅60片双面全黑组件

该组基于166mm硅片，异质结组件首创12栅高精度焊，组件效率可达21.13%，功率可达385W

图21：华晟60片双面全黑组件

华晟：12栅72片双面双玻透明组件

该组基于166mm硅片，异质结组件首创12栅高精度焊，双面率93%，背面增益10-35%，功率可达465W。

图22：华晟72片双面双玻透明组件

华晟：12栅60片全黑组件

该组基于166mm硅片，异质结组件首创12栅高精度焊，组件效率可达21.13%，功率可达385W。

图23：华晟60片全黑组件